【ITBEAR】在半導(dǎo)體行業(yè)，碳化硅材料正逐漸嶄露頭角，成為第三代半導(dǎo)體的代表。其優(yōu)越的低阻值特性賦予了它高耐壓、低導(dǎo)通電阻及高速等性能，從而在電能轉(zhuǎn)換領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。近日，國內(nèi)半導(dǎo)體領(lǐng)域迎來一大突破——芯聯(lián)集成成功實現(xiàn)了8英寸碳化硅工程批的順利下線，這標(biāo)志著該公司正式躋身全球第二家、國內(nèi)首家能夠制造8英寸碳化硅器件的晶圓廠行列。
芯聯(lián)集成，這家2018年從中芯國際特色工藝事業(yè)部脫胎而出的企業(yè)，以晶圓代工為基石，逐步向上游設(shè)計服務(wù)與下游模組封裝延伸。歷經(jīng)六年多的沉淀與積累，如今已成為國內(nèi)車規(guī)級IGBT芯片、SiC MOS以及MEMS傳感器芯片的領(lǐng)頭羊。其碳化硅芯片更是受到多家頭部新能源車企的青睞，助力公司在汽車芯片市場占據(jù)一席之地。
隨著6英寸向8英寸的跨越，碳化硅器件的成本與產(chǎn)能問題逐漸凸顯。8英寸碳化硅晶圓的出現(xiàn)，無疑為行業(yè)帶來了降低成本、提升產(chǎn)能的新契機。然而，這一技術(shù)的突破并非易事。芯聯(lián)集成總經(jīng)理趙奇指出，解決碳化硅襯底在生產(chǎn)中的翹曲問題是關(guān)鍵所在。盡管面臨技術(shù)挑戰(zhàn)，但芯聯(lián)集成通過與供應(yīng)商的緊密合作，已成功攻克難題，實現(xiàn)了8英寸碳化硅器件的量產(chǎn)。
在持續(xù)推動碳化硅技術(shù)創(chuàng)新的同時，芯聯(lián)集成也在積極拓展其產(chǎn)品線與應(yīng)用領(lǐng)域。高壓模擬IC與BCD平臺的研發(fā)成功，進一步鞏固了公司在功率器件與模擬IC領(lǐng)域的市場地位。芯聯(lián)集成還瞄準(zhǔn)了AI與數(shù)據(jù)中心等新興市場，通過大力投入研發(fā)，已成功推出多款適用于AI服務(wù)器多相電源的芯片產(chǎn)品。
芯聯(lián)集成在發(fā)展過程中始終堅持以客戶需求為導(dǎo)向，通過不斷提升產(chǎn)品性能與服務(wù)質(zhì)量，贏得了眾多客戶的認(rèn)可與信賴。其在國內(nèi)率先投產(chǎn)8英寸碳化硅的舉動，更是為公司贏得了市場的先機與口碑。
當(dāng)前，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正處于變革與發(fā)展的關(guān)鍵時期。芯聯(lián)集成憑借其在碳化硅等前沿技術(shù)領(lǐng)域的深厚積累與持續(xù)創(chuàng)新，正努力在這場變革中搶占先機，為推動我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的自主可控發(fā)展貢獻力量。
