【ITBEAR】近日，據(jù)韓媒《時(shí)事周刊e》披露，三星電子在3nm工藝制程技術(shù)上面臨挑戰(zhàn)。其第一代和第二代3nm工藝，即SF3E-3GAE和SF3-3GAP，目前的良率分別約為60%和20%。
這一良率未能滿足如高通、英偉達(dá)等潛在大客戶所期望的70%標(biāo)準(zhǔn)，導(dǎo)致三星在爭奪最尖端制程訂單時(shí)，難以與競爭對手臺(tái)積電抗衡。此情況對三星在尖端邏輯工藝領(lǐng)域的投資回報(bào)產(chǎn)生了直接影響。
三星DS部門內(nèi)部的存儲(chǔ)器、系統(tǒng)LSI及Foundry三大業(yè)務(wù)板塊相互關(guān)聯(lián)，形成一個(gè)復(fù)雜的生態(tài)系統(tǒng)。若系統(tǒng)LSI設(shè)計(jì)的Exynos處理器能由Foundry部門順利制造，將是對其技術(shù)實(shí)力的有力證明，進(jìn)而吸引外部客戶采用三星的邏輯代工服務(wù)以及先進(jìn)的封裝解決方案。然而，目前三星未能實(shí)現(xiàn)這一自我增強(qiáng)的循環(huán)，致使其半導(dǎo)體業(yè)務(wù)整體陷入困境。
面對當(dāng)前的困境，韓媒預(yù)測三星DS部門將在即將到來的集團(tuán)年度管理層調(diào)整中經(jīng)歷一次高層大換血，三大業(yè)務(wù)部門的負(fù)責(zé)人都有可能被替換。這一調(diào)整預(yù)計(jì)將在本月內(nèi)進(jìn)行，比常規(guī)的12月初要早。
今年5月，三星已經(jīng)進(jìn)行了一次意外的年中DS部總負(fù)責(zé)人更替，由全永賢接替了慶桂顯的職位。這次高層的變動(dòng)可能預(yù)示著三星正在積極尋求改變，以應(yīng)對當(dāng)前半導(dǎo)體市場的挑戰(zhàn)。
