近期，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)在內(nèi)存領(lǐng)域的一系列動(dòng)作引起了業(yè)界的廣泛關(guān)注。繼DDR5內(nèi)存低調(diào)面世后，公司又在第二代HBM2高帶寬內(nèi)存技術(shù)上取得了重大進(jìn)展。
據(jù)知情人士透露，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)在DDR4內(nèi)存的初期生產(chǎn)階段，良品率曾徘徊在20%-30%之間，但經(jīng)過(guò)不斷的技術(shù)改進(jìn)和工藝優(yōu)化，良品率已提升至90%的成熟水平。這一成功經(jīng)驗(yàn)為DDR5內(nèi)存的研發(fā)和生產(chǎn)奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。
與DDR4相比，長(zhǎng)鑫DDR5內(nèi)存的良品率從一開(kāi)始就表現(xiàn)不俗，達(dá)到了40%，目前更是穩(wěn)定在80%左右。公司仍在持續(xù)優(yōu)化生產(chǎn)工藝，預(yù)計(jì)在未來(lái)一年內(nèi)，良品率有望進(jìn)一步提升至90%左右。這一進(jìn)步不僅提升了產(chǎn)品的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，也彰顯了長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)在內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域的深厚實(shí)力。
長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)在合肥擁有兩座先進(jìn)的內(nèi)存工廠。其中，F(xiàn)ab 1工廠主要負(fù)責(zé)DDR4內(nèi)存的生產(chǎn)，采用19nm工藝，月產(chǎn)能約為10萬(wàn)片晶圓。而Fab 2工廠則專注于DDR5內(nèi)存的生產(chǎn)，采用更先進(jìn)的17nm工藝，目前月產(chǎn)能已達(dá)5萬(wàn)片晶圓，并仍在持續(xù)提升中。據(jù)預(yù)測(cè)，到明年，F(xiàn)ab 2的月產(chǎn)能有望實(shí)現(xiàn)翻番。然而，面對(duì)三星、SK海力士等競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手已升級(jí)至12nm工藝的DDR5內(nèi)存，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)仍有較大的工藝提升空間。
除了DDR5內(nèi)存外，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)還在積極推進(jìn)HBM高帶寬內(nèi)存的研發(fā)和生產(chǎn)。一方面，公司不斷提升一代HBM內(nèi)存的產(chǎn)能；另一方面，二代HBM2內(nèi)存已取得重大技術(shù)突破，目前正在給客戶送樣測(cè)試，預(yù)計(jì)明年年中可實(shí)現(xiàn)小規(guī)模量產(chǎn)。盡管國(guó)際市場(chǎng)上已有三大原廠量產(chǎn)HBM3、HBM3E，并即將推出HBM4，但對(duì)于長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)而言，成功研發(fā)并量產(chǎn)HBM2仍具有里程碑式的意義。這不僅有助于提升公司在內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力，更對(duì)國(guó)產(chǎn)化AI硬件的發(fā)展至關(guān)重要。例如，華為昇騰910系列加速器就高度依賴HBM2內(nèi)存。
為了推進(jìn)HBM2內(nèi)存的研發(fā)和生產(chǎn)，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)從今年第三季度開(kāi)始積極采購(gòu)先進(jìn)的生產(chǎn)設(shè)備，并引入更先進(jìn)的封裝技術(shù)，如TSV、KGSD等。這些技術(shù)的引入和應(yīng)用，將進(jìn)一步提升HBM2內(nèi)存的性能和可靠性，為公司贏得更多市場(chǎng)份額。
