近日，據(jù)外媒SamMobile報(bào)道，聯(lián)發(fā)科正緊鑼密鼓地推進(jìn)其下一代旗艦芯片天璣9500的研發(fā)進(jìn)程，預(yù)計(jì)這款備受矚目的芯片將在今年年底至明年年初正式面世。
原本，聯(lián)發(fā)科有意采用臺(tái)積電的2nm工藝來打造這款高端芯片，然而，面對(duì)高昂的制造成本以及蘋果M5系列芯片同樣采用該工藝可能帶來的產(chǎn)能壓力，聯(lián)發(fā)科最終作出了調(diào)整，決定轉(zhuǎn)投N3P工藝進(jìn)行生產(chǎn)。
臺(tái)積電的2nm工藝之所以備受關(guān)注，是因?yàn)樗肓艘环N全新的晶體管結(jié)構(gòu)——環(huán)繞柵極（GAA）。與之前的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FinFET）相比，GAA晶體管在性能上有了顯著提升。它通過垂直排列的水平納米片，在四個(gè)側(cè)面包圍通道，從而降低了漏電率并提高了驅(qū)動(dòng)電流。
盡管未能采用更先進(jìn)的2nm工藝，但天璣9500所采用的N3P工藝相較于天璣9400所使用的N3E工藝仍有所改進(jìn)。據(jù)透露，天璣9500將搭載兩個(gè)Arm Cortex-X930超大核和六個(gè)Arm Cortex-A730大核，其主頻將突破4GHz大關(guān)，并支持可擴(kuò)展矩陣擴(kuò)展（SME）技術(shù)。
這一配置無疑將使得天璣9500在性能上實(shí)現(xiàn)質(zhì)的飛躍，為用戶帶來更加流暢和高效的使用體驗(yàn)。隨著聯(lián)發(fā)科不斷加大對(duì)高端芯片研發(fā)的投入，未來其在智能手機(jī)處理器市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)力也將進(jìn)一步增強(qiáng)。
對(duì)于消費(fèi)者而言，天璣9500的推出無疑是一個(gè)值得期待的好消息。它將為用戶帶來更加出色的性能表現(xiàn)和更加豐富的功能體驗(yàn)，推動(dòng)智能手機(jī)行業(yè)向更高水平發(fā)展。
隨著聯(lián)發(fā)科在芯片研發(fā)領(lǐng)域的不斷深入，未來其還將推出更多具有創(chuàng)新性和競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)品，為智能手機(jī)市場(chǎng)的多元化發(fā)展注入新的活力。
總的來說，聯(lián)發(fā)科天璣9500的推出將為用戶帶來更加出色的使用體驗(yàn)，同時(shí)也將推動(dòng)智能手機(jī)行業(yè)的技術(shù)進(jìn)步和市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)。
