隨著第四次全球工業(yè)革命的浪潮，電子及人工智能(AI)應(yīng)用的快速增長(zhǎng)正驅(qū)動(dòng)著各行業(yè)對(duì)更高效、更經(jīng)濟(jì)的電力供應(yīng)設(shè)備的迫切需求。然而，傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體器件因其固有的局限性，已難以滿足這些新興應(yīng)用的高要求。
氮化鎵半導(dǎo)體器件，作為最新一代的半導(dǎo)體材料，近年來(lái)已在多個(gè)行業(yè)中得到廣泛應(yīng)用，并有望在功率半導(dǎo)體行業(yè)的持續(xù)變革中扮演核心角色。特別是AI的迅猛發(fā)展，為氮化鎵開辟了新的增量市場(chǎng)空間。
在氮化鎵功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，英諾賽科(蘇州)科技股份有限公司(02577.HK)作為領(lǐng)軍企業(yè)，成功登陸資本市場(chǎng)是公司發(fā)展歷程中的重要里程碑，同時(shí)也成為中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的一大亮點(diǎn)。這一舉措有望進(jìn)一步提升英諾賽科在全球氮化鎵市場(chǎng)的地位，并在圍繞氮化鎵功率器件的AI服務(wù)器電源競(jìng)爭(zhēng)中占據(jù)有利位置。
近年來(lái)，AI算力的提升催生了新的市場(chǎng)需求。特別是隨著ChatGPT等AI應(yīng)用的風(fēng)靡，AIGC加速推動(dòng)了其下游業(yè)務(wù)的發(fā)展，對(duì)上游算力支撐提出了巨大需求。數(shù)據(jù)中心作為AI應(yīng)用的重要支撐，其放量確定性極強(qiáng)。氮化鎵功率半導(dǎo)體在數(shù)據(jù)中心的PSU電源供應(yīng)單元中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。
與硅基其他半導(dǎo)體材料相比，氮化鎵具有諸多顯著優(yōu)勢(shì)，如高頻、高電子遷移率、強(qiáng)輻射抗性、低導(dǎo)通電阻以及無(wú)反向恢復(fù)損耗等。這些特性使得氮化鎵功率半導(dǎo)體芯片能夠有效降低能量損耗，提升能源轉(zhuǎn)換效率，降低系統(tǒng)成本，并實(shí)現(xiàn)更小的器件尺寸。
在AI及其他運(yùn)算密集型應(yīng)用的推動(dòng)下，GPU及CPU正朝著更大的電流、更強(qiáng)的動(dòng)態(tài)回應(yīng)及更高的功率密度方向發(fā)展，進(jìn)而產(chǎn)生了更高的電力需求。高頻氮化鎵功率器件的應(yīng)用可以有效地減少電感器的體積，為GPU周邊騰出更多空間，以滿足高功率需求。此外，具有更高切換速度和更低能量損耗的氮化鎵服務(wù)器電源能夠?qū)?shù)據(jù)中心服務(wù)器的輸出功率提高約50%，同時(shí)節(jié)省約30%的能源。
面對(duì)人工智能、云計(jì)算、加密貨幣等終端應(yīng)用的強(qiáng)勁需求，全球算力規(guī)模預(yù)計(jì)將持續(xù)快速增長(zhǎng)。數(shù)據(jù)中心作為能源消耗大戶，其電力需求占全球電力需求的份額也在逐年增加。氮化鎵功率半導(dǎo)體在數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域的應(yīng)用，如電源裝置和中間總線變換器(IBC)，正成為優(yōu)化數(shù)據(jù)中心能源效率的關(guān)鍵技術(shù)之一。
根據(jù)Trend Force集邦咨詢的最新《2024全球GaN Power Device市場(chǎng)分析報(bào)告》顯示，預(yù)計(jì)到2030年，全球氮化鎵功率器件市場(chǎng)規(guī)模有望上升至43.76億美元。隨著AI技術(shù)的不斷演進(jìn)和數(shù)據(jù)算力需求的持續(xù)增長(zhǎng)，對(duì)氮化鎵功率器件產(chǎn)品的性能要求也將越來(lái)越高。
這一產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)為全球氮化鎵廠商帶來(lái)了前所未有的發(fā)展機(jī)遇。面對(duì)廣闊的市場(chǎng)空間和巨大的增長(zhǎng)潛力，業(yè)內(nèi)廠商紛紛加大投入，提升研發(fā)實(shí)力和量產(chǎn)能力。目前，氮化鎵功率器件廠商們關(guān)于AI服務(wù)器電源的爭(zhēng)奪戰(zhàn)已經(jīng)全面展開，英諾賽科等多個(gè)玩家已積極入局。
作為國(guó)內(nèi)氮化鎵領(lǐng)域的佼佼者，英諾賽科自2017年成立以來(lái)，已快速成長(zhǎng)為氮化鎵市場(chǎng)份額的領(lǐng)頭羊。2023年，以折算氮化鎵分立器件出貨量計(jì)，英諾賽科在全球氮化鎵功率半導(dǎo)體公司中市場(chǎng)份額排名第一，市占率高達(dá)42.4%。
為了抓住市場(chǎng)機(jī)遇，英諾賽科不斷加大產(chǎn)能擴(kuò)張和技術(shù)儲(chǔ)備力度。截至2024年6月30日，英諾賽科已擁有全球最大的氮化鎵功率半導(dǎo)體生產(chǎn)基地，產(chǎn)能達(dá)到每月12500片晶圓。作為全球首家實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)8英寸硅基氮化鎵晶圓的企業(yè)，英諾賽科的8英寸硅基氮化鎵晶圓量產(chǎn)技術(shù)能夠使每晶圓的晶粒產(chǎn)出數(shù)提升80%，單顆芯片成本降低30%。
作為IDM企業(yè)，英諾賽科實(shí)現(xiàn)從設(shè)計(jì)、制造到測(cè)試的自主控制。這種全產(chǎn)業(yè)鏈模式使得公司能夠更加靈活地應(yīng)對(duì)市場(chǎng)變化，快速推出符合市場(chǎng)需求的新產(chǎn)品。目前，公司擁有蘇州和珠海兩個(gè)生產(chǎn)基地，截至2024年6月30日，以折算氮化鎵分立器件計(jì)，公司氮化鎵分立器件累計(jì)出貨量已超過(guò)8.5億顆。
隨著英諾賽科成功登陸港股并對(duì)接資本市場(chǎng)，公司將有望借助資本市場(chǎng)的力量，進(jìn)一步加速其全球擴(kuò)張計(jì)劃、技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)能擴(kuò)充。
