近日，有消息人士對外透露，三星電子已經(jīng)成功獲得英偉達對其最新一代高帶寬存儲芯片的供應授權，該芯片屬于三星電子的第五代HBM3E系列的一個特定版本。
據(jù)了解，三星電子的這款8層HBM3E芯片（屬于HBM3E系列中的基礎型號）在去年的12月份就已經(jīng)通過了英偉達的審核。然而，對于這一消息，三星和英偉達雙方均未發(fā)表任何評論。
HBM（High Bandwidth Memory），即高帶寬內(nèi)存，是一種專門設計用于滿足高性能計算需求的內(nèi)存標準。相較于傳統(tǒng)的內(nèi)存技術，HBM能夠提供更高的數(shù)據(jù)傳輸速度和更低的延遲，因此在高性能計算領域具有顯著優(yōu)勢。
而HBM3E則是HBM技術的最新標準，它能夠滿足如人工智能、機器學習等前沿技術領域?qū)τ诖髷?shù)據(jù)處理能力的極高要求。這些領域的發(fā)展對于計算能力和內(nèi)存帶寬的需求日益增長，而HBM3E正是為此而生。
作為全球領先的AI和深度學習技術供應商，英偉達與三星電子的此次合作無疑將進一步提升雙方的技術實力和市場競爭力。通過英偉達的計算平臺與三星電子的存儲技術的結合，雙方有望共同打破計算能力的瓶頸，推動AI技術的快速發(fā)展。
此次合作對于三星電子來說，無疑是一個重要的市場機遇。據(jù)市場研究顯示，全球人工智能芯片市場在未來幾年內(nèi)將以年均超過20%的速度增長。英偉達對三星電子HBM3E芯片的認可，將為三星電子打開更加廣闊的市場空間，使其在高性能計算市場中占據(jù)更加重要的地位。
