【ITBEAR】三星電子已決定在2025年初引入首臺(tái)ASML High NA EUV光刻機(jī)，這一舉措標(biāo)志著該公司將與英特爾和臺(tái)積電在下一代光刻技術(shù)商業(yè)化研發(fā)方面展開激烈競爭。此前，三星已與比利時(shí)微電子研究中心imec攜手，在imec的High NA EUV光刻實(shí)驗(yàn)室對(duì)這項(xiàng)技術(shù)進(jìn)行了初步探索。
考慮到High NA EUV光刻機(jī)的精密性，預(yù)計(jì)該設(shè)備在經(jīng)過安裝和調(diào)試后，將于明年中旬投入研發(fā)使用。三星目前的半導(dǎo)體先進(jìn)制程路線圖已規(guī)劃至2027年量產(chǎn)的SF1.4節(jié)點(diǎn)，而采用High-NA光刻的制程則預(yù)計(jì)要到SF1階段才會(huì)實(shí)施。
在先進(jìn)制程代工領(lǐng)域，三星面臨的主要競爭對(duì)手包括已完成兩臺(tái)High NA EUV光刻機(jī)安裝的英特爾，以及即將于今年內(nèi)接收首臺(tái)機(jī)臺(tái)的臺(tái)積電。同時(shí)，在存儲(chǔ)領(lǐng)域，SK海力士也計(jì)劃在2026年引入其首臺(tái)High NA EUV光刻機(jī)。
