【ITBEAR】在內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域，一項(xiàng)革新性技術(shù)正悄然醞釀。據(jù)韓國媒體ETNews近期披露，業(yè)界領(lǐng)先的內(nèi)存制造商如三星電子、SK海力士以及美光，正著眼于采納無助焊劑鍵合技術(shù)，以將其應(yīng)用于下一代高性能內(nèi)存HBM4的生產(chǎn)中。
HBM4 16Hi內(nèi)存以其更多的DRAM Die層次而著稱，這種設(shè)計(jì)對(duì)層間間隙的壓縮提出了更高要求，以確保整體堆棧高度維持在775微米的限制之內(nèi)。然而，當(dāng)前HBM鍵合工藝中助焊劑的使用成為了一個(gè)技術(shù)難題，因其殘留會(huì)擴(kuò)大Die間的間隙，進(jìn)而增加整體堆棧高度。
無助焊劑鍵合技術(shù)的引入，正是為了解決這一難題。據(jù)悉，各大廠商對(duì)此技術(shù)的準(zhǔn)備情況各異：美光在與合作方的測試方面表現(xiàn)得最為積極，SK海力士則在考慮技術(shù)導(dǎo)入的可能性，而三星電子同樣對(duì)此保持高度關(guān)注。
報(bào)道還提及，隨著HBM內(nèi)存技術(shù)的不斷進(jìn)步，JEDEC所制定的規(guī)范有可能會(huì)對(duì)HBM4的高度限制進(jìn)行放寬。這一潛在的規(guī)范調(diào)整，可能為內(nèi)存廠商提供更多的靈活性，減輕其轉(zhuǎn)向混合鍵合技術(shù)的壓力。
