在科技創(chuàng)新的浪潮中，一家由華人女科學家領軍的半導體企業(yè)——英諾賽科，近日成功登陸港股市場，吸引了業(yè)界的廣泛關注。這家專注于氮化鎵半導體研發(fā)的公司，不僅在全球市場中占據(jù)領先地位，其背后的成長故事也充滿了挑戰(zhàn)與機遇。
英諾賽科的創(chuàng)始人駱薇薇，曾是美國宇航局（NASA）的首席科學家。2015年，她毅然決定回國創(chuàng)業(yè)，投身于當時仍處于早期的第三代半導體產(chǎn)業(yè)。面對氮化鎵材料尚未大規(guī)模商業(yè)化應用的現(xiàn)狀，駱薇薇及其團隊選擇了一條少有人走的路——以8英寸工藝制作芯片。這一決策不僅大幅提升了晶圓晶粒的產(chǎn)出數(shù)，還顯著降低了單一器件的成本，為公司的快速發(fā)展奠定了堅實基礎。
從珠海到蘇州，英諾賽科的發(fā)展歷程中離不開地方產(chǎn)業(yè)基金的扶持。在蘇州，這家企業(yè)找到了成長的沃土，不僅吸引了眾多風投機構和產(chǎn)業(yè)基金的注資，還成功建立了全球最大的氮化鎵功率半導體生產(chǎn)基地。據(jù)統(tǒng)計，自成立以來，英諾賽科共完成了五輪融資，總金額超過60億元，估值也實現(xiàn)了百倍增長。
在資本的助力下，英諾賽科迅速成長為全球氮化鎵半導體領域的佼佼者。公司不僅實現(xiàn)了8英寸硅基氮化鎵晶圓的量產(chǎn)，還成為全球唯一能夠提供全電壓譜系硅基氮化鎵半導體產(chǎn)品的企業(yè)。按折算氮化鎵分立器件出貨量計算，英諾賽科在全球市場中穩(wěn)居第一，市場份額高達42.4%。
然而，英諾賽科的發(fā)展之路并非一帆風順。在全球競爭中，公司面臨著來自國際巨頭的專利圍剿。近年來，英諾賽科已多次卷入專利侵權訴訟，但憑借堅韌不拔的精神和強大的研發(fā)實力，公司逐步化解了這些危機，并在全球市場中贏得了更多的份額。
隨著氮化鎵半導體市場的蓬勃發(fā)展，英諾賽科的業(yè)績也呈現(xiàn)出快速增長的態(tài)勢。盡管在初期階段公司曾面臨較大的虧損，但隨著營收的持續(xù)增長和經(jīng)調整凈虧損的收窄，英諾賽科的市場地位日益穩(wěn)固。目前，公司的氮化鎵產(chǎn)品已廣泛應用于消費電子、可再生能源、工業(yè)應用、汽車電子及數(shù)據(jù)中心等多個領域。
此次IPO的成功，標志著英諾賽科邁入了一個新的發(fā)展階段。公司計劃將募資額用于擴大8英寸氮化鎵晶圓產(chǎn)能、償還銀行貸款、研發(fā)及擴大產(chǎn)品組合、擴大全球分銷網(wǎng)絡以及營運資金等用途。這將有助于英諾賽科進一步提升在全球市場中的競爭力，并為未來的發(fā)展奠定更加堅實的基礎。
作為一位杰出的華人科學家和企業(yè)家，駱薇薇以她的智慧和勇氣引領著英諾賽科不斷前行。在她的帶領下，這家企業(yè)不僅實現(xiàn)了從零到一的突破，更在全球市場中書寫了屬于自己的輝煌篇章。未來，英諾賽科將繼續(xù)秉持創(chuàng)新精神，致力于推動氮化鎵半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，為人類社會的進步貢獻更多力量。
