在全球芯片代工領(lǐng)域，長久以來，臺積電一直穩(wěn)坐頭把交椅，占據(jù)約六成的市場份額，而緊隨其后的三星則擁有約兩成的份額，其余廠商共同瓜分剩余的兩成市場。
盡管三星在市場份額上不及臺積電，但在技術(shù)層面，兩者仍具備一較高下的實(shí)力。多年來，兩家公司的芯片工藝發(fā)展幾乎并駕齊驅(qū)，難分伯仲。
正是基于這樣的技術(shù)實(shí)力，三星一直懷揣著一個夢想——追平乃至超越臺積電。為了實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，三星在3nm工藝上采取了大膽的策略，毅然決然地采用了全新的GAAFET晶體管技術(shù)，舍棄了之前的FinFET技術(shù)，并且比臺積電提前半年宣布實(shí)現(xiàn)了量產(chǎn)。
從技術(shù)前沿性的角度來看，GAAFET晶體管技術(shù)無疑更為先進(jìn)，具有更低的閾值電壓，從而帶來更低的功耗。同時，由于其獨(dú)特的結(jié)構(gòu)，性能也得到了顯著提升。
然而，三星的激進(jìn)策略并未如愿帶來預(yù)期的市場反響。由于GAAFET晶體管技術(shù)前所未有，缺乏經(jīng)驗(yàn)，三星的3nm工藝良率極低，據(jù)傳僅有10%-20%。這一現(xiàn)狀導(dǎo)致高通、英偉達(dá)等大廠紛紛對三星的3nm工藝持謹(jǐn)慎態(tài)度，甚至三星自家也不敢輕易采用。去年，當(dāng)臺積電大規(guī)模生產(chǎn)3nm芯片時，三星卻只能無奈地將重心放在4nm工藝上。
時至今日，三星的3nm芯片依然面臨嚴(yán)峻挑戰(zhàn)，良率問題仍未得到有效解決，導(dǎo)致沒有客戶敢于下單。而臺積電則即將邁入2nm時代，三星卻仍在3nm工藝上苦苦掙扎。顯然，在先進(jìn)工藝的競爭上，三星已經(jīng)遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于臺積電，超越之夢似乎已成泡影。
不僅如此，在成熟工藝領(lǐng)域，三星也面臨著來自中國大陸廠商的強(qiáng)勁挑戰(zhàn)。近年來，中國大陸的晶圓廠大規(guī)模擴(kuò)產(chǎn)，成熟工藝產(chǎn)能大幅提升。為了搶占市場，這些晶圓廠不惜發(fā)起價格戰(zhàn)。由于中國是全球最大的市場之一，且中國的IC廠商也在逐步將產(chǎn)能轉(zhuǎn)向國內(nèi)企業(yè)，因此三星在成熟工藝領(lǐng)域同樣遭受了巨大沖擊。
數(shù)據(jù)顯示，2024年第三季度，三星在前十大晶圓代工廠中的市場份額出現(xiàn)了唯一下滑，降至9.3%，與之前的20%相比幾乎減半。照此趨勢發(fā)展下去，三星的市場份額很可能繼續(xù)被蠶食，甚至面臨被中芯國際等中國大陸廠商超越的風(fēng)險。
三星在芯片代工業(yè)務(wù)上正面臨著前所未有的嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。無論是先進(jìn)工藝還是成熟工藝，都遭遇了重重困難。三星能否在逆境中尋求突破，重拾昔日輝煌，尚需時間給出答案。
