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中微公司技術創(chuàng)新結碩果,MOCVD設備專利再獲中國專利獎銀獎

   時間:2025-01-09 17:01:57 來源:ITBEAR編輯:快訊團隊 發(fā)表評論無障礙通道

在科技創(chuàng)新的璀璨星河中,中微半導體設備(上海)股份有限公司及其子公司南昌中微半導體設備有限公司再次閃耀光芒。近日,他們共同持有的發(fā)明專利“化學氣相沉積裝置及其清潔方法”(專利號:ZL201510218357.1)在第二十五屆中國專利獎評選中榮獲銀獎,這一榮譽無疑是對中微公司在技術創(chuàng)新領域不懈努力的肯定。

中國專利獎,作為我國專利領域的至高榮譽,由國家知識產(chǎn)權局與世界知識產(chǎn)權組織攜手頒發(fā),旨在表彰那些為技術創(chuàng)新和經(jīng)濟社會發(fā)展作出杰出貢獻的專利權人與發(fā)明人。中微公司此次獲獎,是其技術創(chuàng)新與知識產(chǎn)權保護實力的又一力證。截至目前,中微公司已累計榮獲2項中國專利金獎、1項銀獎及3項優(yōu)秀獎,彰顯了其在科技創(chuàng)新領域的深厚底蘊。

本次獲獎的發(fā)明專利,是中微公司MOCVD設備產(chǎn)品的核心技術之一。MOCVD設備,作為寬禁帶半導體微觀器件制造的關鍵設備,采用單晶外延生長技術,廣泛應用于LED芯片、功率器件及第三代半導體器件的生產(chǎn),市場前景廣闊。中微公司的MOCVD設備,憑借其卓越的性能和品質,在全球氮化鎵基LED生產(chǎn)用MOCVD設備市場中獨占鰲頭,市場占有率超過70%,成為業(yè)界的佼佼者。

該發(fā)明專利從反應腔內(nèi)流體動力學和氣流分布的獨特視角出發(fā),巧妙設計了一種全新的反應氣體排氣與反應副產(chǎn)物沉積物收集、存儲分離機制,有效避免了固體沉積物對排氣口的堵塞問題,成功解決了MOCVD設備領域長期存在的排氣不均勻、工藝良率低、維護頻繁及生產(chǎn)效率低等難題。這一突破性技術,不僅為客戶提供了更加可靠、高效的生產(chǎn)解決方案,還推動了MOCVD設備技術的不斷進步,加速了LED照明與顯示產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,為國家節(jié)能減排、降低能耗作出了重要貢獻。

中微公司董事長兼總經(jīng)理尹志堯博士對此表示:“中微公司連續(xù)獲得中國專利獎,充分展示了我們在研發(fā)創(chuàng)新和知識產(chǎn)權管理方面的領先地位。創(chuàng)新是中微公司發(fā)展的核心動力。我們將繼續(xù)堅持技術創(chuàng)新、產(chǎn)品差異化及知識產(chǎn)權保護的產(chǎn)品開發(fā)原則,加大研發(fā)投入,不斷突破技術瓶頸,為全球客戶提供更具創(chuàng)新性和卓越品質的產(chǎn)品與服務,為半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展貢獻更大力量?!?/p>

中微半導體設備(上海)股份有限公司,作為全球集成電路和LED芯片制造商的領先設備供應商,致力于提供先進的加工設備和工藝技術解決方案。其開發(fā)的CCP高能等離子體和ICP低能等離子體刻蝕設備,已覆蓋大多數(shù)刻蝕應用,并廣泛應用于國內(nèi)外一線客戶,涵蓋從65納米到5納米及更先進工藝的眾多領域。近年來,中微公司還著重開發(fā)多種導體和半導體化學薄膜設備,如MOCVD、LPCVD、ALD和EPI設備,取得了顯著進展。其中,用于LED和功率器件外延片生產(chǎn)的MOCVD設備,早已在客戶生產(chǎn)線上量產(chǎn),并在全球氮化鎵基LED MOCVD設備市場中占據(jù)領先地位。

中微公司還在光學和電子束量檢測設備領域進行布局,并開發(fā)多種泛半導體微觀加工設備。這些設備都是制造各種微觀器件的關鍵,可加工和檢測微米級和納米級的器件,是現(xiàn)代數(shù)碼產(chǎn)業(yè)的基礎,正深刻改變著人類的生產(chǎn)和生活方式。在美國TechInsights(原VLSI Research)近五年的全球半導體設備客戶滿意度調(diào)查中,中微公司多次獲得總評分前列,薄膜設備更是多次被評為第一,充分證明了其強大的市場競爭力和技術實力。

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