臺(tái)灣省的芯片產(chǎn)業(yè)在全球占據(jù)著舉足輕重的地位,其中臺(tái)積電更是被譽(yù)為“護(hù)島神山”。這一美譽(yù)源于臺(tái)積電對(duì)臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的巨大推動(dòng)力,它不僅帶動(dòng)了整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展,還促使臺(tái)灣形成了相對(duì)完整的半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)。
為了保持臺(tái)灣在芯片制造領(lǐng)域的領(lǐng)先地位,臺(tái)灣當(dāng)局在過(guò)去一直對(duì)臺(tái)積電實(shí)施嚴(yán)格的技術(shù)出口限制。他們希望臺(tái)積電能將最先進(jìn)的工藝保留在臺(tái)灣,以確保本土產(chǎn)業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)力。
臺(tái)積電也曾多次承諾,會(huì)將最尖端的芯片技術(shù)留在臺(tái)灣。他們?cè)诤M?,包括美?guó)的生產(chǎn)基地,通常采取“N+1”或“N+2”的策略,即海外工廠的技術(shù)水平會(huì)落后于臺(tái)灣本土至少一個(gè)或兩個(gè)世代。
例如,在2020年臺(tái)積電宣布將在美國(guó)建廠時(shí),他們計(jì)劃生產(chǎn)的是5nm和4nm芯片,而這些工廠的量產(chǎn)時(shí)間被定在2024年至2025年。這意味著,即使在美國(guó)的工廠投產(chǎn),其技術(shù)水平也將落后于臺(tái)灣本土至少一代。
然而,臺(tái)積電后來(lái)又表示將在美國(guó)建立生產(chǎn)3nm和2nm芯片的工廠。這一消息一度引發(fā)了外界的猜測(cè),認(rèn)為臺(tái)積電可能違背了之前的承諾,將最先進(jìn)的技術(shù)轉(zhuǎn)移到了美國(guó)。
但實(shí)際上,這些先進(jìn)工廠的建設(shè)計(jì)劃需要數(shù)年時(shí)間才能實(shí)現(xiàn)。例如,2nm芯片的量產(chǎn)預(yù)計(jì)要到2028年。到那時(shí),即使美國(guó)的工廠投產(chǎn),其技術(shù)水平也將落后于臺(tái)灣本土的先進(jìn)工藝至少一代或兩代。因?yàn)榈?028年,臺(tái)積電在臺(tái)灣本土可能已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了1.4nm芯片的量產(chǎn)。
在2024年,臺(tái)灣當(dāng)局曾表態(tài)稱暫時(shí)不允許臺(tái)積電將2nm芯片技術(shù)轉(zhuǎn)移到臺(tái)灣省之外。這一表態(tài)被視為在迎合美國(guó)的同時(shí),盡力維護(hù)臺(tái)灣本土芯片產(chǎn)業(yè)的利益。
然而,近日臺(tái)灣當(dāng)局的態(tài)度卻發(fā)生了顯著變化。中國(guó)臺(tái)灣省經(jīng)濟(jì)部門(mén)負(fù)責(zé)人表示,臺(tái)積電是否在美國(guó)投資最先進(jìn)的2nm制程,將由企業(yè)自己決定。這意味著臺(tái)灣當(dāng)局已經(jīng)放棄了之前的技術(shù)出口限制,不再關(guān)注技術(shù)外流和臺(tái)灣本土芯片產(chǎn)業(yè)的保護(hù)問(wèn)題。
這一轉(zhuǎn)變引發(fā)了外界的廣泛擔(dān)憂。人們擔(dān)心臺(tái)積電的技術(shù)將不斷外流,最終可能導(dǎo)致臺(tái)積電變成“美積電”。美國(guó)可能會(huì)通過(guò)各種手段掏空臺(tái)積電的技術(shù)和人才,最終留給臺(tái)灣省的可能只是一個(gè)空殼。