中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)近期傳來(lái)振奮人心的消息，繼DDR4和DDR5內(nèi)存以及NAND閃存取得顯著成就后，業(yè)界正集中力量向HBM高帶寬內(nèi)存發(fā)起挑戰(zhàn)，這一技術(shù)對(duì)于AI人工智能和HPC高性能計(jì)算至關(guān)重要。據(jù)悉，國(guó)內(nèi)企業(yè)在這一領(lǐng)域已經(jīng)邁出了重要一步。
據(jù)知情人士透露，中國(guó)的存儲(chǔ)企業(yè)正以穩(wěn)健的步伐推進(jìn)HBM2內(nèi)存的研發(fā)與生產(chǎn)。其中，通富微電子，這家以集成電路封測(cè)為主業(yè)、排名全球第三的封測(cè)大廠，近期已開(kāi)始試產(chǎn)HBM2內(nèi)存，并已向特定客戶供貨。值得注意的是，通富微電子并非專(zhuān)業(yè)的存儲(chǔ)芯片制造商，其核心業(yè)務(wù)集中在封裝測(cè)試領(lǐng)域，AMD和聯(lián)發(fā)科分別是其第一和第二大客戶。
回顧歷史，通富微電子與AMD的淵源頗深。早在2015年，AMD在面臨經(jīng)營(yíng)困境時(shí)，將其位于蘇州和馬來(lái)西亞檳城的組裝測(cè)試工廠以3.71億美元的價(jià)格出售給了南通富士通微電子，而南通富士通微電子后來(lái)重組成為通富微電子的一部分。這一合作不僅增強(qiáng)了通富微電子的封測(cè)實(shí)力，也為雙方在半導(dǎo)體領(lǐng)域的深入合作奠定了基礎(chǔ)。
在HBM2內(nèi)存的研發(fā)與生產(chǎn)方面，中國(guó)還有兩家企業(yè)值得關(guān)注。一是長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)，這家企業(yè)最近剛剛推出了DDR5內(nèi)存，其在存儲(chǔ)領(lǐng)域的實(shí)力不容小覷。另一家是武漢新芯，同樣在HBM2內(nèi)存的研發(fā)上取得了顯著進(jìn)展。這兩家企業(yè)的加入，無(wú)疑為中國(guó)在HBM高帶寬內(nèi)存領(lǐng)域的發(fā)展注入了新的活力。
在國(guó)際市場(chǎng)上，三星、SK海力士和美光等存儲(chǔ)巨頭已經(jīng)發(fā)展到了HBM3E階段，并即將推出第四代HBM4。然而，中國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)在這一領(lǐng)域的追趕步伐并未停歇。正如在許多技術(shù)領(lǐng)域一樣，一旦中國(guó)掌握了核心技術(shù)，趕超世界先進(jìn)水平將只是時(shí)間問(wèn)題。
此次中國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)在HBM高帶寬內(nèi)存領(lǐng)域取得的重大進(jìn)展，不僅彰顯了國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)的整體實(shí)力，也為未來(lái)在AI人工智能和HPC高性能計(jì)算等領(lǐng)域的應(yīng)用奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。隨著技術(shù)的不斷突破和市場(chǎng)的不斷擴(kuò)大，中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)有望在全球市場(chǎng)中占據(jù)更加重要的位置。
