近期，新華社發(fā)布了一則關于我國半導體材料技術取得重大突破的報道。據(jù)悉，以碳化硅（SiC）為核心的第三代半導體材料，正逐步成為推動我國制造業(yè)轉型升級的重要驅動力。
中國科學院微電子研究所傳來振奮人心的消息，我國首款自主研發(fā)的碳化硅（SiC）功率器件在太空成功完成了驗證。這一里程碑式的成果，預示著第三代半導體材料有望引領我國航天電源系統(tǒng)的全面升級。
回顧2024年11月15日，由中科院微電子所劉新宇、湯益丹團隊與中科院空間應用工程與技術中心劉彥民團隊攜手打造的碳化硅（SiC）載荷系統(tǒng)，搭乘天舟八號貨運飛船順利進入太空，開啟了其空間站軌道的科學試驗之旅。
劉新宇介紹稱，此次太空之旅的主要任務是驗證國產(chǎn)自研的高壓抗輻射碳化硅（SiC）功率器件。該器件不僅要在航天電源中進行應用驗證，還需進行綜合輻射效應等科學研究。這一系列試驗旨在逐步提升我國航天數(shù)字電源的功率水平，為未來實現(xiàn)單電源模塊千瓦級輸出奠定堅實基礎。
經(jīng)過一個多月緊張而細致的在軌加電試驗，碳化硅（SiC）載荷系統(tǒng)傳來捷報。測試數(shù)據(jù)顯示，高壓400V的碳化硅（SiC）功率器件在軌試驗與應用驗證均取得了圓滿成功。在電源系統(tǒng)中，無論是靜態(tài)還是動態(tài)參數(shù)，均達到了預期目標。
業(yè)內專家對此給予了高度評價。他們認為，我國在太空成功驗證由第三代半導體材料制造的功率器件，標志著在空間載荷需求以“克”為計量的極端條件下，碳化硅（SiC）功率器件有望引領空間電源系統(tǒng)邁向全新時代。這一技術突破，無疑將為我國未來的探月工程、載人登月以及深空探測等航天任務提供新一代高性能功率器件。
