近期，韓國(guó)媒體《Chosun Biz》報(bào)道了一則關(guān)于三星電子的重要進(jìn)展。據(jù)悉，三星的DS部門內(nèi)存業(yè)務(wù)已成功完成了HBM4內(nèi)存邏輯芯片的設(shè)計(jì)工作。與此同時(shí)，該公司的Foundry業(yè)務(wù)部也已依據(jù)這一設(shè)計(jì)，利用4nm制程技術(shù)啟動(dòng)了試生產(chǎn)流程。
在邏輯芯片完成最終的性能驗(yàn)證后，三星電子計(jì)劃將這款自主研發(fā)的HBM4內(nèi)存樣品提供給客戶。這一舉措標(biāo)志著三星在高端內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域的又一次突破。
邏輯芯片，被譽(yù)為HBM內(nèi)存堆棧中的“大腦”，負(fù)責(zé)控制上方的多層DRAM Die。在HBM4時(shí)代，由于內(nèi)存堆棧I/O引腳數(shù)量的增加以及功能的集成需求，業(yè)界三大內(nèi)存原廠紛紛選擇采用邏輯半導(dǎo)體代工來(lái)制造邏輯芯片。這一趨勢(shì)反映了HBM4技術(shù)的復(fù)雜性和對(duì)先進(jìn)制程的依賴。
業(yè)內(nèi)專家指出，發(fā)熱問(wèn)題是HBM內(nèi)存面臨的主要挑戰(zhàn)，而邏輯芯片作為堆棧中的發(fā)熱大戶，其制程技術(shù)的改進(jìn)對(duì)于提升HBM4的能效和性能至關(guān)重要。三星電子通過(guò)采用先進(jìn)的4nm制程技術(shù)來(lái)制造邏輯芯片，旨在有效應(yīng)對(duì)這一挑戰(zhàn)。
為了挽回在HBM3 (E)世代因質(zhì)量問(wèn)題而失去的市場(chǎng)份額，三星電子在HBM4的開發(fā)上采取了更為激進(jìn)的技術(shù)策略。除了使用自家的4nm工藝制造邏輯芯片外，三星還計(jì)劃在HBM4上引入1c nm制程的DRAM Die，并有望在16Hi堆棧中采用無(wú)凸塊的混合鍵合技術(shù)。這些創(chuàng)新舉措有望進(jìn)一步提升HBM4的性能和可靠性。
